一、研究方向

宽禁带半导体(GaN SiC) Si功率半导体 功率电子技术，等方向

课题组介绍: 课题组主要研究半导体（GaN、SiC、Si）功率器件及功率电子技术。包括器件工艺与制备，器件物理与可靠性分析，功率器件驱动技术与应用等。课题组负责人在IEEE EDL，IEEE T-ED，IEDM， IEEE T-PE， ISPSD等本领域的权威期刊与会议上发表论文100余篇。课题组善于挖掘与激发组员的科研潜能，将为组员提供高质量的科研指导。 

主页: http://scholar.pku.edu.cn/jinwei

 二、申请条件

(1) 35岁以下。

(2) 即将于一年内博士毕业；或在国内外知名高校电子，材料，物理等相关学科获得博士学位不超过三年。

(3) 在所在领域主流SCI期刊或顶级会议以第一作者身份发表过论文2篇以上，论文能体现自己的特长和能力

 三、待遇

1) 基本待遇（包括五险一金、博士后住房补贴、博士后公寓等）按北京大学博士后流动站相关规定执行；

2) 根据北京市博士后管理政策办理有关落户事宜。

3) 如申请到“博雅博士后”，待遇从优。如申请到“博新计划博士后”，进站后享受两年60万元资助。

4) 课题组另将提供相应的绩效工资。

博雅博士后: https://postdocs.pku.edu.cn/tzgg/118091.htm

 四、应聘方式

请尽快将个人简历以及代表性论文全文(2篇)发送至课题组邮箱：jin.wei@pku.edu.cn